买卖IC网 >> 产品目录43553 >> STB185N55F3 MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK datasheet 分离式半导体产品
型号：

STB185N55F3

库存数量：1,000
制造商：STMicroelectronics
描述：MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
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产品目录绘图 ST Series D2PAK
标准包装 1
系列 STripFET™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 3.5 毫欧 @ 60A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 6800pF @ 25V
功率 - 最大 330W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1541 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 497-7940-1
相关资料
属性
链接
代理商 STB185N55F3
STB18N55M5
STB18N60M2
STB18N65M5
STB18NF25
STB18NF30
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公司名
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买卖IC网詹 13610926030 詹总
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深圳市柏新电子科技有限公司 0755-88377780 林小姐//方先生
深圳市宝芯创电子有限公司 0755-83228629 陈先生
  • STB185N55F3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 8.172 8.172
    10 7.3164 73.164
    25 6.5784 164.46
    100 5.98308 598.308
    250 5.415984 1353.996
    500 4.848888 2424.444